IWN 2024ショート速報 [光材料デバイス/化合物半導体]
| 技術分野 | 光材料・デバイス |
|---|---|
| テーマ | 光材料デバイス/化合物半導体 |
| 報告名 | IWN 2024ショート速報 |
| 報告者 | 王 学論（産業技術総合研究所） |
| 会議名 | 12th International Workshop on Nitride Semiconductors（IWN 2024） |
| 開催期間 | 2024年11月3日－8日 |
| 開催場所 | Hilton Hawaiian Village Waikiki Beach Resort（Honolulu，HI，米国） |
要約
IWNはInternational Conference on Nitride Semiconductors（ICNS）と交互に隔年開催される窒化物半導体分野の最大規模の国際会議の一つである。今回の会議では，約700件の研究発表が行われた。発表内容に関して，AlScNの研究が盛んになったのを反映して，従来の結晶成長，物性評価，光デバイス，電子デバイスの4分野以外に「新規材料・ナノ構造」というカテゴリが新たに設けられた。光デバイスに関しては，マイクロLED，人体に安全な殺菌光源として期待されているFar-UVC波長帯（220 － 230 nm）LED，可視光面発光レーザ，フォトニック結晶レーザの発表が目立った。