第13回桜井健二郎氏記念賞
(1998年3月31日掲載)

 第13回(平成9年度)櫻井健二郎氏記念賞は、日本電気株式会社と日本電信電話株式会社の2グループに授与された。

櫻井健二郎氏記念賞(櫻井賞)は、当協会の理事であった故櫻井健二郎氏が光産業の振興に果たされた功績をたたえるとともに、光産業及び技術の振興をはかることを目的として創設され、過去12回の表彰で12名、10グループ、延べ41名が受賞している。

 今年度第13回の櫻井賞は、1992年以降光産業及び光技術の分野において先駆的役割を果たした業績を対象に、応募11件の中から厳正に選考された。

 受賞の栄に輝いた日本電気グループは、光・高周波デバイス研究所の水戸郁男、佐々木達也、山口昌幸及びULSI開発研究所の小松啓郎の4氏で、「発振波長の異なる多数の半導体レーザを1枚のウェーハ上に形成する事を可能にする、狭幅選択MOVPE成長技術の開発により、波長多重光通信システム用キーデバイス研究開発に多大な貢献をした」というのが受賞理由である。

一方のNTTグループは、NTT光エレクトロニクス研究所の須藤昭一、大石泰丈、山田誠、金森照寿の4氏で受賞理由は、「従来の帯域幅を大きく上回るテルライト系ガラス材料を用いた超広帯域光ファイバ増幅器を開発し、光通信システム及びネットワークの研究開発に多大な貢献をした」というものである。

二つのグループに対する表彰は10月15日に開催された第17回光産業技術シンポジウムの席上行われ、櫻井健二郎氏記念賞委員会委員長田中昭二氏(超伝導工学研究所所長)から賞状、メダル、賞金がそれぞれのグループに手渡された。



受賞者(日本電気グループ)
(右から)山口、佐々木、水戸、小松の各氏

受賞者の略歴

水戸郁夫氏
1977年 東北大学大学院修士課程修了。同年日本電気株式会社入社。半導体レーザの研究開発に従事。現在、同社光・超高周波デバイス研究所長代理。

佐々木達也氏
1985年 慶應義塾大学大学院修士課程終了。同年日本電気株式会社入社。光通信用半導体レーザの研究開発に従事。現在、同社光・超高周波デバイス研究所光デバイス研究部研究専門課長。

小松啓郎氏
1982年 横浜国立大学大学院修士課程修了。同年日本電気株式会社入社。光スイッチ/光変調器等の光通信用光デバイスの研究開発に従事。1986年から87年までUniversity of Arizona, Optical Science Center交換研究員。現在日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所光デバイス開発部プロジェクトマネージャー。

山口昌幸氏
1982年 東北大学工学部卒業。同年日本電気株式会社入社。光通信用半導体レーザの研究開発に従事。1990年から91年までデンマーク工科大学客員研究員。現在日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所光デバイス研究部研究専門課長。



受賞者(NTTグループ)
(右から)須藤、大石、山田、金森の各氏

受賞者の略歴

須藤昭一氏
1974年 金沢大学工学部卒業。同年日本電信電話公社(現日本電信電話株式会社)入社。光ファイバ製造技術、光ファイバアンプ、非線形光学素子の研究開発に従事。1986年から87年までスタンフォード大学客員研究員。現在日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所研究企画部長。工学博士。

大石泰丈氏
1980年 東北大学大学院博士前期課程修了。同年日本電信電話公社入社。フッ化物光ファイバ、光ファイバアンプの研究開発に従事。1989年から90年まで米国ニュージャージー州立大学客員研究員。現在日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所材料研究部ファイバアンプ材料研究グループグループリーダー。工学博士。

山田誠氏
1985年 長岡技術科学大学大学院修士課程修了。同年日本電信電話株式会社入社。光導波型部品及び光ファイバアンプの研究開発に従事。現在同社光エレクトロニクス研究所材料研究部ファイバアンプ材料研究グループ主任研究員。

金森照寿氏
1975年 名古屋大学大学院修士課程修了。同年日本電信電話公社入社。非晶質材料、赤外光ファイバ材料、アンプ用光ファイバの研究開発に従事。現在同社光エレクトロニクス研究所材料研究部ファイバアンプ材料研究グループ主幹研究員。工学博士。


桜井賞受賞者リスト

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