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(2017年8月29日掲載)
（H29-No.20)光加工・計測
AM技術
SFFS2017ショート速報
伊藤 史朗（アスペクト）
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| 会議名 |
：The 28th Annual International Solid Freeform Fabrication Symposium
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| 開催期間 |
：2017年8月7日〜8月9日 |
| 開催場所 |
：Hilton Hotel Austin（Austin, Tx、米国） |
-要 約-
SFFSはAM技術に関する歴史あるシンポジウムであり、近年の参加者が増加
傾向にあることから、AM技術全体に対する関心の高まりというものが見える。
発表内容は、近年盛んに行われているインプロセスモニタリング等の利用に
よるプロセス中に起こる現象のメカニズム把握のための研究が更に発展して
いたのが印象深い。また一方で、既存の方法をアレンジした新しいプロセス
の研究発表などもあり、AM技術の新しい潮流が発生し始めているような感
触も受けた。
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(2017年9月8日掲載)
（H29-No.21)光材料・デバイス
ナノフォトニクス・シリコンフォトニクス
ICO-24ショート速報
倉持 栄一、滝口 雅人（日本電信電話株式会社）
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| 会議名 |
：The 24th General Congress of the International Commission for Optics |
| 開催期間 |
：2017年8月21日〜8月25日 |
| 開催場所 |
：京王プラザホテル東京（東京、日本） |
-要 約-
ICO-24は、国際光学委員会が3年ごとに開催する、光科学技術の全分野を
網羅する権威ある国際会議である。基礎から応用までカバーする18のカテ
ゴリーで約700件の講演が行われ、850名ほどの参加者があった。報告者ら
はナノ・マイクロフォトニクスや通信用光集積回路を中心に、トピックや
注目される講演を紹介する。
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(2017年9月8日掲載)
（H29-No.22)情報処理フォトニクス
相変化材料・デバイス
EPCOS2017ショート速報
須藤 祐司（東北大学）
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| 会議名 |
：European Phase Change and Ovonic Symposium in 2017 |
| 開催期間 |
：2017年9月3日〜9月5日 |
| 開催場所 |
：Super-C Center, RWTH Aachen University（アーヘン、ドイツ） |
-要 約-
E-PCOSは、相変化材料の基礎科学および光記録ディスクといった応用に関
して議論する場として2001年より開催されている国際シンポジウムである。
現在では、不揮発性相変化メモリの実用化に伴い、その議論の中心は、相変
化材料の電気的物性に移行しているが、ここ数年来、再び、アモルファス/
結晶相変化に伴う光物性変化を利用した新規応用も提案されている。今回の
シンポジウムにおいても、相変化材料の電気物性および光物性、また、その
アモルファス/結晶相変化メカニズムについて最新の成果が発表されると共
に、最近注目を集めている超格子相変化膜に関する成果や相変化材料の新規
応用についての報告があった。
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(2017年9月20日掲載)
（H29-No.23)光材料・デバイス
光デバイス
14thGFPショート速報
藤方 潤一（光電子融合基盤技術研究所）
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| 会議名 |
：14th International Conference on Group Ⅳ Photonics Conference |
| 開催期間 |
：2017年8月23日〜8月25日 |
| 開催場所 |
：Grand Hyatt Berlin（Berlin、ドイツ） |
-要 約-
2017年8月末に開催された14th International Conference on Group Ⅳ
Photonics Conferenceにおけるシリコンフォトニクス（SiPh）に関連する
発表を中心に報告する。光通信およびデータセンター向けの高性能Si変調
器およびSi上Ⅲ-Ⅴ化合物半導体レーザに関する報告に加えて、ガスセンシ
ングやバイオセンシング応用に向けたGeおよびSiNx導波路をベースとした
中赤外フォトニクスデバイスが多く報告された。招待講演のIntelは、量子
井戸構造のレーザ活性層をSOI（silicon-on-insulator）基板上に貼り合せ
て、25 mW程度のレーザ出力を110℃まで実証したこと、またSi導波路との
光結合損失が0.5 dB程度であることを報告し、Si上へのレーザ実装技術の
完成度に注目が集まった。SiPhトランシーバベンダであるLuxteraは、台湾
のTSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）の300 mmライン
で、高性能（>50 GHz）なGe受光器をはじめとして、SiPh回路の生産を立ち
上げていることを紹介し、先端CMOS電子回路と組み合わせて、SiPhの市場
規模が今後益々大きくなることを印象付ける内容であった。
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